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什么是锂电保护芯片,锂电池芯片功能作用

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浏览:- 发布日期:2020-04-10 11:21:26【

现在的中国轻便式电子元器件变得越来越受大家喜爱,其电池设备也变成特别关注的聚焦点,主要是因为动力锂电池和聚合锂电池能量密度大、使用时间长、能满足绿色环保规定,已逐步替代镍镉电池和镍氢充电电池,变成便携式设备的优先选择充电电池。锂电保护芯片是为使用在手持式机器设备(如蜂窝电话,PDA)的单节动力锂电池而设计构思的。下面我们来看看什么是锂电保护芯片,锂电池芯片功能作用。

锂电池保护芯片


什么是锂电保护芯片


锂电保护芯片是单节可充锂离子/聚合物锂电池的过头充电/放电/过工作电流保护芯片,它也包含一个短路容量保护装置,防止出现外电路短路时的大工作电流。选用高抗压生产工艺研制,抗压不少于二十八V,在产品检验到过放电后,芯片将中止内部开关电源电路运转以维护目前拥有在非常低的用电量程度。根据将DS端调到与VDD类似的电平,能将上述保护延长时间(除过流保护电路)大幅度缩短。


锂电池芯片功能作用


1、保护芯片正常情况下运转:


保护芯片上MOS管一开始很有可能正处于关掉状况,电池接好保护芯片后,务必先开启MOS管,P+与P-端才有输出电压,开启适用最简单的方法——用一输电线把B-与P-接线。


2、过工作电流产品检验的设计构思


当VM接线端子工作电压高于过工作电流1产品检验工作电压,并且这一个状况在过工作电流1产品检验响应时间上述时,关掉放电用的FET进而终止放电。


当VM接线端子工作电压高于过工作电流2产品检验工作电压,并且这一个状况在过工作电流2产品检验响应时间上述时,关掉放电用的FET进而终止放电。


3、过电压产品检验的设计构思


当锂电池突然出现过充电时,过头充电比较器跳变,过充电产品检验工作电压VCU从H变成L,经由过充电产品检验响应时间后,全面禁止电池充电。与此同时,开关电源电路的导出TCU为H,经由一个反馈电路使过充电比较器的输入工作电压升高,所以电池电压务必降低更多才能使比较器导出变为H.这就实现了过充电迟滞工作电压的设计过程。


当电池过放电时,过放电产品检验工作电压VDL从H变为L,经由时间TDL后,全面禁止电池放电。此时,根据0V充电全面禁止模块使VM升高,进而五个比较器的使能端SD跳变为无效状况,此时开关电源电路中的五个比较器都不运转,并且振荡器也不运转,开关电源电路步入休眠模式。当VM降低使SD再次发生改变时,开关电源电路解除休眠模式。休眠模式的工作电流不能高于100nA.


4、过流保护:


在P+与P-上接好一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,工作电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这个时候MOS2被D2短路);当负载突然之间减小,IC根据VM引脚取样到突然之间变大工作电流而产生的工作电压这个时候IC取样并传出指令,让MOS1结束,控制回路断开,电池被保护了。


5、过流保护电路:


在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,工作电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这个时候MOS2被D2短路);IC根据VM引脚取样到突然之间变大工作电流而产生的工作电压这个时候IC取样并传出指令,让MOS1结束,控制回路断开,电池被保护了。


锂电池芯片工作原理


1.锂电保护芯片休眠模式


CW1055步入过放保护状况,并高于休眠模式延长时间时间(Tslp),则CW1055会步入休眠模式。DO维持低电平,CO维持高阻态,维护目前拥有充放电MOSFET的状况。休眠模式解除条件:VM工作电压正处于Vslp工作电压以下。


2.通常状况的工作原理


通常状况下,即电池电压在过放电产品检验工作电压(VDL)上述且在过充电产品检验工作电压(VCU)以下,VM接线端子的工作电压在充电器产品检验工作电压(VCHA)上述且在过工作电流1产品检验工作电压以下的情况下,设计构思振荡器模块不运转,充电控制用MOSFET和放电控制用MOSFET的两方均打开。这个时候也可以开展自由的充电和放电。


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